10μF 1.0± 0.2Vrms 120Hz? 1000pF<容量≦10μF 1.0± 0.2Vrms 1kHz? 容量≦ 1000pF 1.0± 0.2Vrms 1MHz? 2、測量儀器的區(qū)別對丈量成果的影響...." />
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    貼片電容容值偏低的原因及解決方法

    更新時間:2017-01-11 19:02:08 點擊次數(shù):5107次
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    1、測驗條件對測量成果的影響

    首先思考測量條件的疑問,關(guān)于不一樣容值的貼片電容會選用不一樣的測驗條件來測量容值,首要在測驗電壓的設(shè)定和測驗頻率的設(shè)定上有區(qū)別,下表所示為不一樣容值的量測條件:
    電容 AC 電壓 頻率
    容量>10μF 1.0± 0.2Vrms 120Hz
    1000pF<容量≦10μF 1.0± 0.2Vrms 1kHz
    容量≦ 1000pF 1.0± 0.2Vrms 1MHz

    2、測量儀器的區(qū)別對丈量成果的影響.

    大容量的電容(一般指1UF以上)測量時更簡單呈現(xiàn)容值偏低的景象,形成這種景象的首要要素是施加在電容兩頭的實踐電壓不能到達測驗條件所需要的電壓,這是因為加在電容兩頭的測驗電壓因為儀器內(nèi)部阻抗分壓的要素與實踐顯示的設(shè)定電壓不共同。為了使測量成果差錯降到最低,咱們主張將儀器調(diào)校并盡量把儀器的設(shè)定電壓跟實踐加在電容兩頭所測的電壓盡量調(diào)整,使實踐于待測電容上輸?shù)某鲭妷汗餐?

    留意: 上表中所示的電壓是指實踐加在測驗電容兩頭的有效電壓(抱負電壓)。
    因為測驗儀器的要素,加在電容兩頭實踐的輸出電壓與設(shè)定的測量電壓(抱負電壓)實踐上可能會有所收支。

    3、影響高容量電容容值丈量偏低的要素


    (1) 測驗儀器內(nèi)部的阻抗之大小影響.
    因為不一樣的測驗儀器之間的內(nèi)部阻抗都不一樣,形成儀器將總電壓分壓而使加在測驗電容兩頭的實踐電壓變小。在實踐的測驗過程中,咱們有必要先運用萬用表等東西測驗夾具兩頭的實踐電壓,以斷定加在測驗貼片電容兩頭的輸出電壓。
    (2)不一樣阻抗的測驗儀器的輸出電壓比照如下:
    儀器內(nèi)阻100Ω
    1V * [100Ω/(100Ω+16Ω)] = 0.86V
    10uF測驗電容的兩頭電壓 :
    1V * [ 16Ω/(100Ω+16Ω)] = 0.14V
    均勻電容值讀數(shù) : 6-7μF
    儀器內(nèi)阻1.5Ω:
    1V * [1.5Ω/(1.5Ω+16Ω)] = 0.086V
    10uF測驗電容兩頭電壓 :
    1V * [16Ω/(1.5Ω+16Ω)] = 0.914V
    均勻電容量值讀數(shù) : 9-10μF

    4、測量環(huán)境條件對丈量成果的影響

    貼片陶瓷電容(X7R/X5R/Y5V)系列商品被稱為非溫度補償性元件,即在不一樣的工作溫度環(huán)境下,電容量會有比較顯著的改變,在不一樣的工作溫度下,電容標稱容值與實踐容值之間的區(qū)別。例如,在40℃時的測驗容量將比25℃時的測驗容量低了挨近20%。由此可以看出,在外部環(huán)境溫度比較高的情況下,電容容值的測驗值就會顯的偏低。咱們一般主張放置在20℃的環(huán)境下一段時刻,使資料處于安穩(wěn)的測驗環(huán)境下再進行容值測驗。

    5、貼片陶瓷電容商品資料老化景象

    資料老化是指電容的容值隨著時刻下降的景象,這再一切以鐵電系資料做介電質(zhì)的資料商品中均有發(fā)作,是一種天然的不可避免的景象。要素是因為內(nèi)部晶體結(jié)構(gòu)隨溫度和時刻產(chǎn)生了改變致使了容值的下降,歸于可逆景象。當(dāng)對老化的資料施加高于資料居里溫度段時刻后(主張進行容值康復(fù)所運用之條件為150℃/1hour),當(dāng)環(huán)境溫度康復(fù)到常溫后(常溫25℃下放置24小時),資料的分子結(jié)構(gòu)將會回到初始的狀態(tài)。資料將由此開端老化的又一個循環(huán),貼片電容的容值將康復(fù)到正常標準以內(nèi)。

    用以下方法驗證:把測驗容量偏低的電容器浸在錫爐或許過回流焊后,再進行測驗,容值會康復(fù)到正常規(guī)模以內(nèi)??蛻粼谏唐凡簧暇€前,事先進行容值康復(fù)工作,只需要將電容置PCB板上正常出產(chǎn)加工時,電容通過回流焊或許波峰焊后,就會康復(fù)到正常的容值規(guī)模了。


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